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静電型ヘッドホン用アンプ を新たにいちから再設計することを決めまして、 その実現で大きなカギとなるのが部品点数の大幅削減と考えました。 前回製作と比較してよりシンプルな回路としたうえで、適切な保護回路を追加して安定動作を狙います。
そこでまず再検討するべきものがコア部品 SATRI-IC相当品モジュールでした。
電流入力のSATRI回路ですと入力バッファ回路が別途必要となります。これを電圧入力とすることで部品点数の削減が可能となります。
前提としてカレントコンベア回路 (CCII) によるゲイン調整方式は踏襲したく、電圧入力モジュール部品となるとバクーンプロダクツ社の HBK(I)-IC が該当します。
ただ HBK(I)-IC v1 現物およびそれらが使われた製品は所有しておりません。そもそもピン配置を踏襲する必要もないので自由に設計することとしました。
電圧入力のカレントコンベアモジュールとして、まず3種類を試作してみることにしました。
作業時期は、設計着手 2024年12月 、音出し 2025年7月 です。
ハイブリッドICモジュールは左から SHKM-LE、 SHKM-SE、 SHKM-UJ です。表面実装部品を表面に集めてリフロー製造しました。
カレントコンベア回路 ( Second Generation Current Conveyor / CCII ) ですが、
SATRI-IC v4 で使われている回路技術は Fabre-Normand translinear current conveyors と呼ばれているものと認識しています。
それ以外にもいくつか実装例が知られており、
左の図は Analog Devices 社の技術資料にあるカレントコンベア回路の概念図で、右の図はこれを最低限の素子で実装した場合の例です。
(電流帰還形オペアンプの)トランスインピーダンス段のようにも見えます。
HBK(I)-IC v1 の写真をみるとデュアルトランジスタ10個 (BJT x20)、抵抗4個で構成されているようです。
「MJ 無線と実験」のSATRI回路 技術解説記事、および、同誌 バクーンプロダクツ社の製品紹介記事にある推定回路図なども参考にして、
LTspice でシミュレーションを重ねて回路検討を進めました。
SHKM-LE 回路図
小型化最優先で Nexperia TSSOP6 デュアルBJT を2種類(2NPN、2PNP) 使っています。足の配置が独特です。
入力部は本来 NPN-PNP BJT で作るべきですが妥協しています。
SHKM-SE 回路図
各メーカから出ている汎用品デュアルBJT SOT-23-6 (SOT-457、TSOP6、SC-74)を3種類(2NPN、2PNP、NPN-PNP) 使います。
なお各ジャンパは Jx1・Jx2 何れかをショートさせないと動作しません。
改善検討
上記 SHKM-LE、SHKM-SE で検証を行い、その結果を盛り込んで本命モジュールを改めて設計することとしました。
電圧入力モジュールということで、以前作った HDB モジュールに導入した
TI社の計測機用バッファBUF802のアイデアを再び盛り込むこととしました。
ただし入力JFETバッファは、超低雑音JFE2140デュアル品ではなく、超低雑音JFE150シングル品にしました。
SHKM-UJ 回路図
以前作った SCCM-UT と HBDモジュールの技術要素を取り入れて、TOSHIBAのローノイズBJTを多用して設計しています。
JFETのIdssバラツキがあるので可変抵抗で調整を行います。パスコンMLCCは任意実装ですが、適切容量を付けると計測値(歪み率)で若干効果がありました。
4層基板としていますが配線は表裏2層で済ませています。内2層はGNDになります。
左から SHKM-LE、 SHKM-SE、 SHKM-UJ です。
作ったモジュールは自前のテスト基板を使って動作確認します。テスト基板は自作テスト基板と Analog Discovery2 および ソフトFRAplus を使っています。
まず入力0Vで出力が振り切れないことを確認します。
問題が無ければ正弦波を入れて正しく出力されることを確認。その後に詳細な確認を行っていきます。
各種測定後に最後に聴感で好みなど含めて総合評価を行いました。
(ちなみに計13個モジュール製造しましたが、12個は1発動作、残り1個は煙を吹いて損傷しました。
電源投入前にルーペ(x20)を使い入念な目視チェック、更にテスタで導通確認等も行っているのですが、自宅リフロー製造だとなかなか完璧とはいかないようです)
左のグラフは FRAplusによる周波数特性です。ぱっと見、4者はあまり違いが無いように見受けられます。
右のグラフはそれを拡大したものです。赤 SHKM-UJ はJFETバッファがあることで高い周波数まで伸びていることが分かります。